微細化トレンドを突き進む半導体製造プロセス。07年から45nm世代プロセスを用いたデバイス量 産が開始され、08年には本格化する見通しだ。技術開発の焦点は32nm以降のプロセスに移っているが、行く手には高い壁が立ちはだかる。トランジスターを中心とするFEOLプロセスでは、モビリティ（電子移動度）向上やリーク電流防止のため、チャネルやゲート絶縁膜、ゲート電極のどれも従来とは異なる新材料が必要とされる。BEOLプロセスでは、ポーラス構造のLow-k膜が必須となるが、膜強度の問題などをどうクリアするかが焦点だ。リソグラフィーでは“ポストArF液浸”としてダブルパターニングや高屈折率液浸、EUVの開発が進められているが、どれも課題が山積している。洗浄プロセスでは、デバイス構造・材料の革新に合わせた技術のブラッシュアップに加え、ベベル（ウエハー端面 ）や裏面の洗浄も必須となっている。今回はセミコン・ジャパン2007に因み、32nm世代以降を睨む半導体製造プロセス技術の課題や展望を、プロセス別 （FEOL・BEOL・リソグラフィー・洗浄）にレポートしていく。＜つづきを読む＞

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